Особенности фотопроводимости монокристаллов сульфида кадмия при комбинированном возбуждении

БОЛЬШАЯ ЛЕНИНГРАДСКАЯ БИБЛИОТЕКА - РЕФЕРАТЫ - Особенности фотопроводимости монокристаллов сульфида кадмия при комбинированном возбуждении

Особенности фотопроводимости монокристаллов сульфида кадмия при комбинированном возбуждении

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ

ОДЕССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

им.  И.И.МЕЧНИКОВА

кафедра экспериментальной физики

ОСОБЕННОСТИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ

ПРИ КОМБИНИРОВАННОМ ВОЗБУЖДЕНИИ

          Допускается к защите

           Заведующий кафедрой

         экспериментальной физики

академик _______________ Смынтына В.А.

Дипломная работа

студентки V курса

физического факультета                                                                                

Минаевой Ольги Павловны

Научные руководители:

Профессор Чемересюк Г.Г.

Зав. лабораторией Каракис Ю.Н.

ОДЕССА – 2007

Содержание

Введение

Глава 1. Фотоэлектрические свойства неоднородных

полупроводниковых образцов

1.1.          Свойства кристаллов, подвергнутых обработке в газовом разряде

1.2.          Фотопроводимость при наличии запирающего барьера

1.3.          Фотовольтаический эффект в полупроводниках с электрической     

           неоднородностью

1.4.          Особенности фотопроводимости, обусловленные неоднородным   

          освещением

1.5     Обогащенный контактный слой в отсутствие тока

Глава 2. Энергетическая структура омического контакта в присутствии неравномерно распределенных электронных ловушек

2.1.    Влияние ловушек на структуру барьера. Предварительный анализ

2.2.          Распределение энергии в приконтактных слоях полупроводника с ловушками для электронов

2.3.    Структура барьера в истощенном слое

2.4.    Детализация явного вида функции распределения энергии

2.5.    Энергетический профиль барьера в объеме полупроводника

2.6.    Влияние освещения на профиль барьер

Глава 3. Фотоэлектрические свойства кристаллов, обработанных в

           газовом разряде

3.1.    Технология легирования образцов

3.2     Вольтамперные характеристики исследуемых структур

3.3.    Спектральное распределение фототока

3.4.    Спектральное распределение фото-э.д.с

3.5.    Люкс-амперные характеристики

Выводы

Литература

Введение

Качество омических контактов к различным полупроводниковым устройствам является определяющим для их надежного и долговременного функционирования. Этим обеспечивается значительный интерес ко всем аспектам работы таких контактов – их созданию, особенностям протекания тока через них.

Вместе с тем известно, что свойства полупроводниковых веществ могут изменяться в широких пределах в зависимости от количества и качества образовавшихся дефектов. Разумеется, это неизбежно должно сказываться и на контактирующей части полупроводникового кристалла.

В настоящей работе рассмотрена задача о поведении изначально омического контакта к полупроводнику при появлении в его области пространственного заряда неравномерно распределенных электронных ловушек. Несмотря на очевидную актуальность этой проблемы, в литературе она практически не освещена.

Введение ловушечных центров в приконтактную область полупроводника, по-видимому, может кардинально изменить энергетическую структуру этой области. В частности, в случае электронных ловушек, возможно образование запирающего барьера. При этом значительно изменяются условия токопереноса и возникают специфические эффекты, близкие по природе к отрицательной фотопроводимости.

Мы ставим себе задачей выведение формулы, описывающей, как в темноте, так и на свету, вид возникающего барьера в зоне проводимости. А также определения связи параметров этого барьера – его ширины, высоты, координаты максимума, крутизны стенок – от свойств ловушек – их энергетической глубины, начальной концентрации и распределения по глубине образца. В тех случаях, когда прямой анализ был затруднителен, выявлялись, по крайней мере, тенденции зависимости.

Целью настоящей работы является показать, что неравномерно  распределенные электронные ловушки способны сформировать запирающий барьер в области пространственного заряда омического контакта. Параметры его однозначно связанны с параметрами ловушек и значит, управляются технологически. При этом благодаря  возникшему барьеру полупроводниковый кристалл приобретает новые свойства, в том числе и аномальные.

ГЛАВА 1

Фотоэлектрические свойства неоднородных полупроводниковых образцов

1.1.         Свойства кристаллов, подвергнутых

 обработке в газовом разряде

Изменения фотопроводимости, вызванные обработкой монокристаллических образцов халькогенидов кадмия в газовом разряде исследовали авторы [1-3]. Технология такой обработки заключается в с