|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
|||||||||
МЕНЮ
|
БОЛЬШАЯ ЛЕНИНГРАДСКАЯ БИБЛИОТЕКА - РЕФЕРАТЫ - ФоторезисторыФоторезисторыФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. Основные характеристики фотосопротивлений. 1. Рабочая площадь. 2. Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом. 3. Удельная чувствительность где:
-фототок, равный разности токов в темноте и на свету; Ф - световой поток; U - приложенное напряжение. 4. Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ). 5. Среднее относительное изменение сопротивления, % - обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,
, где : -сопротивление в темноте; -сопротивление в освещенном состоянии. 6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением :
Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики. Схема включения фоторезисторов:
При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ). С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы 1. Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., « Советское радио», 1973. 2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., «Энергия», 1965. |
РЕКЛАМА
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
БОЛЬШАЯ ЛЕНИНГРАДСКАЯ БИБЛИОТЕКА | ||
© 2010 |