рефераты рефераты
Домой
Домой
рефераты
Поиск
рефераты
Войти
рефераты
Контакты
рефераты Добавить в избранное
рефераты Сделать стартовой
рефераты рефераты рефераты рефераты
рефераты
БОЛЬШАЯ ЛЕНИНГРАДСКАЯ БИБЛИОТЕКА
рефераты
 
МЕНЮ
рефераты Фоторезисторы рефераты

БОЛЬШАЯ ЛЕНИНГРАДСКАЯ БИБЛИОТЕКА - РЕФЕРАТЫ - Фоторезисторы

Фоторезисторы

ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.

Основные характеристики фотосопротивлений.

1. Рабочая площадь.

2. Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах  от 1000 до 100000000 ом.

3. Удельная чувствительность

         где:                                                                                                             

  

-фототок, равный разности токов в темноте и на свету;

             Ф - световой поток;

        U - приложенное напряжение.


4. Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1  до 1000 в ).

5. Среднее относительное изменение сопротивления, % -

     обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,

   



, где :



-сопротивление в темноте;



    -сопротивление в освещенном состоянии.


6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением :

 

 

Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики.












Схема включения фоторезисторов:


Сопротивление

нагрузки

 
 












Источник питания

 
 






При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ).


















С П И С О К   Л И Т Е Р А Т У Р Ы


1. Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., « Советское радио», 1973.



2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., «Энергия», 1965.  



РЕКЛАМА

рефераты НОВОСТИ рефераты
Изменения
Прошла модернизация движка, изменение дизайна и переезд на новый более качественный сервер


рефераты СЧЕТЧИК рефераты

БОЛЬШАЯ ЛЕНИНГРАДСКАЯ БИБЛИОТЕКА
рефераты © 2010 рефераты