|
|
|
 |
Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7 |
|
 |
БОЛЬШАЯ ЛЕНИНГРАДСКАЯ БИБЛИОТЕКА - РЕФЕРАТЫ - Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7
Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7
Содержание Введение 1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor -- BJT) 2. Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET) 3. Полевой транзистор (JFET) 4. МОП-транзистор (MOSFET) 5. Операционный усилитель (ОРАМР) Заключение Список литературы
Введение В программе МС7 используются в большинстве случаев (за исключением модели нелинейного магнитного сердечника) те же математические модели полупроводниковых приборов, что и программа PSpice. При необходимости полную информацию по моделям активных приборов (включая и формулы по которым производится расчет при моделировании), можно взять из (на русском языке) и из (на английском языке, есть файл в формате pdf). Появился также фрагмент перевода на русский, касающийся моделей активных приборов. 1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor -- BJT) Формат схем МС7: Атрибут PART: <имя> Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vbe>[,Vce]] Атрибут MODEL: [имя модели] Модели биполярных транзисторов задаются в виде .MODEL <имя модели> NPN [(параметры модели)] .MODEL <имя модели> PNP [(параметры модели)] Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC (Initial Conditions) задает начальное напряжение база-эмиттер Vbe и коллектор-эмиттер Vсе при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. В программе МС7 используется схема замещения биполярного транзистора в виде модели Гуммеля-Пуна, которая автоматически упрощается до более простой модели Эберса-Молла, если опустить некоторые параметры. Список параметров полной математической модели биполярного транзистора приведен в табл. 1. Таблица 1. Параметры модели биполярного транзистора |
Имя параметра | Параметр | Значение по умолчанию | Единица измерения | | IS | Ток насыщения при температуре 27°С | 1E-16 | А | | BF | Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки) | 100 | | | BR | Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ | 1 | | | NF | Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима | 1 | | | NR | Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима | 1 | | | ISE* | Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер | 0 | А | | ISC* | Ток насыщения утечки перехода база-коллектор | 0 | А | | ISS | Ток насыщения p-n перехода подложки | 0 | А | | NS | Коэффициент эмиссии тока p-n-перехода подложки | | | | IKF* | Ток начала спада зависимости BF oт тока коллектора в нормальном режиме | | А | | IKR* | Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме | | А | | NE* | Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода | 1,5 | | | NC* | Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода | 2 | | | NK | Коэффициент перегиба при больших токах | 0.5 | | | VAF | Напряжение Эрли в нормальном режиме | | В | | VAR* | Напряжение Эрли в инверсном режиме | | В | | RC | Объемное сопротивление коллектора | 0 | Ом | | RE | Объемное сопротивление эмиттера | 0 | Ом | | RB | Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер | 0 | Ом | | RBM* | Минимальное сопротивление базы при больших токах | RB | Ом | | IRB* | Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM | | А | | TF | Время переноса заряда через базу в нормальном режиме | 0 | с | | TR | Время переноса заряда через базу в инверсном режиме | 0 | с | | XTF | Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор | 0 | | | VTF | Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор | | В | | ITF | Ток, характеризующий зависимость ТF от тока коллектора при больших токах | 0 | А | | PTF | Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора | 0 | град. | | CJE | Емкость эмитгерного перехода при нулевом смещении | 0 | пФ | | VJE (РЕ) | Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер | 0,75 | В | | MJE (ME) | Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода | 0,33 | | | CJC | Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении | 0 | Ф | | VJC (PC) | Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор | 0,75 | В | | MJC(MC) | Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода | 0,33 | | | CJS (CCS) | Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении | 0 | Ф | | VJS (PS) | Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка | 0,75 | В | | MJS (MS) | Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка | 0 | | | XCJC | Коэффициент расщепления барьерной емкости база-коллектор по отношению к внутренней базе | 1 | ~ | | FC | Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов | 0,5 | | | EG | Ширина запрещенной зоны | 1,11 | эВ | | XTB | Температурный коэффициент BF и ВR | 0 | -- | | XTI(PT) | Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS | 3 | -- | | TRE1 | Линейный температурный коэффициент RE | 0 | C-1 | | TRE2 | Квадратичный температурный коэффициент RЕ | 0 | C-2 | | TRB1 | Линейный температурный коэффициент RВ | 0 | C-1 | | TRB2 | Квадратичный температурный коэффициент RB | 0 | C-2 | | TRM1 | Линейный температурный коэффициент RВМ | 0 | C-1 | | TRM2 | Квадратичный температурный коэффициент RВМ | 0 | C-2 | | TRC1 | Линейный температурный коэффициент RС | 0 | C-1 | | TRC2 | Квадратичный температурный коэффициент RС | 0 | C-2 | | KF | Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума | 0 | | | AF | Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход | 1 | | | T_MEASURED | Температура измерений | -- | °С | | T_ABS | Абсолютная температура | -- | °С | | T_REL_GLOBAL | Относительная температура | -- | °C | | T_REL_LOCAL | Разность между температурой транзистора и модели-прототипа | | °C | | * Для модели Гуммеля-Пуна. | | |
Рис. 2. Модель биполярного транзистора 2. Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET) Формат схем МС7: Атрибут PART: <имя> Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vds>[,Vgs]] Атрибут MODEL: [имя модели] Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC (Initial Conditions) задает начальное напряжение сток-исток Vds и затвор-сток Vgs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде: .MODEL <имя модели>GASFET [(параметры модели)] Арсенид-галлиевые полевые транзисторы (GaAsFET) являются приборами с каналом n-типа и имеют три модели, предложенные Куртисом (Curtice), Рэйтеоном (Raytheon) и TriQuint модель. Модель Куртиса дает удовлетворительные результаты лишь при расчете статического режима. Остальные модели отражают и динамические характеристики арсенид-галлиевого транзистора. Параметры трех математических моделей приведены в табл. 3. Таблица 3. Параметры модели арсенид-галлиевого транзистора |
Обозначение | Параметр | Значение по умолчанию | Единица измерения | | LEVEL | Тип модели: 1 -- модель Куртиса, 2 -- модель Рэйтеона, 3 -- модель TriQuint | 1 | | | VTO | Барьерный потенциал перехода Шоттки или пороговое напряжение | -2,5 | В | | ALPHA | Коэффициент для напряжения насыщения тока стока | 2,0 | 1/В | | В | Параметр легирования (Level=2) | 0,3 | 1/В | | BETA | Удельная крутизна (удельная передаточная проводимость) | 0,1 | А/В2 | | LAMBDA | Параметр модуляции длины канала | 0 | 1/В | | GAMMA | Параметр статической обратной связи (для Level=3) | 0 | | | DELTA | Параметр выходной обратной связи (для Level=3) | 0 | (АВ)-1 | | Q | Показатель степени (для Level=3) | 2 | -- | | RG | Объемное сопротивление области затвора | 0 | Ом | | RD | Объемное сопротивление области стока | 0 | Ом | | RS | Объемное сопротивление области истока | 0 | Ом | | CGD | Емкость затвор-сток при нулевом смещении | 0 | Ф | | CGS | Емкость затвор-исток при нулевом смещении | 0 | Ф | | CDS | Емкость сток-исток фиксированная | 0 | Ф | | IS | Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал | 1E-14 | А | | M | Коэффициент плавности p-n-перехода затвора | 0,5 | | | N | Коэффициент эмиссии p-n-перехода затвор-канал | 1 | -- | | FC | Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного p-n-перехода затвора | 0,5 | | | VBI | Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора | 1 | В | | EG | Ширина запрещенной зоны | 1,11 | эВ | | XTI | Температурный коэффициент тока IS | 0 | | | VDELTA | Напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3) | 0,2 | В | | VMAX | Максимальное напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3) | 0,5 | В | | VTOTC | Температурный коэффициент VTO | 0 | В/°С | | ВЕТАТСЕ | Температурный экспоненциальный коэффициент BETA | 0 | %/C | | TRG1 | Линейный температурный коэффициент RG | 0 | 1/°С | | TRD1 | Линейный температурный коэффициент RD | 0 | 1/°С | | TRS1 | Линейный температурный коэффициент RS | 0 | 1/°С | | KF | Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума | 0 | | | AF | Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход | 1 | | | T_MEASURED | Температура измерения | -- | °С | | T_ABS | Абсолютная температура | -- | °С | | T_REL_GLOBAL | Относительная температура | -- | °С | | T_REL_LOCAL | Разность между температурой транзистора и модели-прототипа | | °С | | |
Рис. 4. Модель арсенидгаллиевого полевого транзистора 3. Полевой транзистор (JFET) Формат схем МС: Атрибут PART: <имя> Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vds>[,Vgs]] Атрибут MODEL: [имя модели] Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC задает начальное напряжение сток-исток Vds и затвор-сток Vgs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. Модель полевого транзистора задается в виде: .MODEL <имя модели> NJF [(параметры модели)] .MODEL <имя модели> PJF [(параметры модели)] Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом описываются моделью Шихмана-Ходжеса. Таблица 5. Параметры модели полевого транзистора |
Обозначение | Параметр | Значение по умолчанию | Единица измерения | | VTO | Пороговое напряжение | -2 | В | | BETA | Коэффициент пропорциональности (удельная передаточная проводимость | 1E-4 | А/В2 | | LAMBDA | Параметр модуляции длины канала | 0 | 1/В | | IS | Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал | 1E-14 | А | | RD | Объемное сопротивление области стока | 0 | Ом | | RS | Объемное сопротивление области истока | 0 | Ом | | CGD | Емкость перехода затвор-сток при нулевом смещении | 0 | Ф | | CGS | Емкость перехода затвор-исток при нулевом смещении | 0 | Ф | | M | Коэффициент плавности перехода затвор-исток | 0,5 | | | FC | Коэффициент нелинейности емкостей переходов при прямом смещении | 0,5 | " | | PB | Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора | 1 | В | | VTOTC | Температурный коэффициент VTO | 0 | В/°С | | ВЕТАТСЕ | Температурный экспоненциальный коэффициент BETA | 0 | %/°С | | XTI | Температурный коэффициент тока IS | 3 | -- | | KF | Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума | 0 | | | AF | Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока | 1 | | | T_MEASURED | Температура измерения | -- | °С | | T_ABS | Абсолютная температура | -- | °С | | T_REL_GLOBAL | Относительная температура | -- | °С | | T_REL_LOCAL | Разность между температурой транзистора и модели-прототипа | | °С | | |
Рис. 6. Модель полевого транзистора с управляющим p-n переходом 4. МОП-транзистор (MOSFET) Формат схем МС: Атрибут PART: <имя> Атрибут VALUE: [L=<значение>] [W=<значение>][АD=<значение>] [АS=<значение>] + [РD=<значение>] [РS=<значение>] [NRD=<значение>] [NRS=<значение>] + [NRG=<значение>] [NRВ=<значение>] [OFF] [IC=< Vds>[, Vgs[, Vbs]]] Атрибут MODEL: [имя модели] Параметр IC задает начальное напряжение сток-исток Vds, затвор-сток Vgs и затвор-подложка Vbs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве .MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые в диалоговом окне Global Settings Таблица 7. Физико-топологические параметры МОП-транзистора |
Обозначение | Параметр | Значение по умолчанию | Размерность | | L | Длина канала | DEFL | м | | W | Ширина канала | DEFW | м | | AD | Площадь диффузионной области стока | DEFAD | м | | AS | Площадь диффузионной области истока | DEFAS | м | | PD | Периметр диффузионной области стока | 0 | м | | PS | Периметр диффузионной области истока | 0 | м | | NRD | Удельное относительное сопротивление стока | 1 | -- | | NRS | Удельное относительное сопротивление истока | 1 | -- | | NRG | Удельное относительное сопротивление затвора | 0 | -- | | NRB | Удельное относительное сопротивление подложки | 0 | -- | | |
Модели МОП-транзисторов задаются в виде: .MODEL <имя модели> NMOS[(параметры модели)] .MODEL <имя модели>PMOS[(параметры модели)] В программе МС7 МОП-транзисторы описываются тремя разными системами уравнений, выбор которых определяется параметром LEVEL, принимающим значения 1, 2 и 3. Модель первого уровня (LEVEL=1) используется в тех случаях, когда не предъявляются высокие требования к точности моделирования вольт-амперных характеристик транзистора, в частности, при моделировании МОП-транзисторов с коротким или узким каналом. Модели второго (LEVEL=2) и третьего (LEVEL=3) уровней учитывают более тонкие физические эффекты. Параметры трех математических моделей приведены в табл. 8. Таблица 8. Параметры модели МОП-транзистора |
Обозначение | Уровень модели LEVEL | Параметр | Значение по умолчанию | Единица измерения | | LEVEL | | Индекс уровня модели | 1 | -- | | L | 1-3 | Длина канала | DEFL | м | | W | 1-3 | Ширина канала | DEFW | м | | LD | 1-3 | Глубина области боковой диффузии | 0 | м | | WD | 1-3 | Ширина области боковой диффузии | 0 | м | | VTO | 1-3 | Пороговое напряжение при нулевом смещении | 1 | В | | КР | 1-3 | Параметр удельной крутизны | 2E-5 | А/В2 | | GAMMA | 1-3 | Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое напряжение | 0 | В1/2 | | PHI | 1-3 | Поверхностный потенциал сильной инверсии | 0,6 | В | | LAMBDA | 1,2 | Параметр модуляции длины канала | 0 | 1/В | | RD | 1-3 | Объемное сопротивление стока | 0 | Ом | | RS | 1-3 | Объемное сопротивление истока | 0 | Ом | | RG | 1-3 | Объемное сопротивление затвора | 0 | Ом | | RB | 1-3 | Объемное сопротивление подложки | 0 | Ом | | RDS | 1-3 | Сопротивление утечки сток-исток | ? | Ом | | RSH | 1-3 | Удельное сопротивление диффузионных областей истока и стока | 0 | Ом/кв. | | IS | 1-3 | Ток насыщения р-n-перехода сток-подложка (исток-подложка) | 1E-14 | А | | JS | 1-3 | Плотность тока насыщения перехода сток (исток)-подложка | 0 | А/м2 | | JSSW | 1-3 | Удельная плотность тока насыщения (на длину периметра) | 0 | А/м | | PB | 1-3 | Напряжение инверсии приповерхностного слоя подложки | 0,8 | В | | PBSW | 1-3 | Напряжение инверсии боковой поверхности р-n-перехода | PB | В | | N | 1-3 | Коэффициент неидеальности перехода подложка-сток (исток) | 1 | | | CBD | 1-3 | Емкость донной части перехода сток-подложка при нулевом смещении | 0 | Ф | | CBS | 1-3 | Емкость донной части перехода исток-подложка при нулевом смещении | 0 | Ф | | CJ | 1-3 | Удельная емкость донной части р-n-перехода сток (исток)-подложка при нулевом смещении (на площадь перехода) | 0 | Ф/м2 | | CJSW | 1-3 | Удельная емкость боковой поверхности перехода сток (исток)-подложка при нулевом смещении (на длину периметра) | 0 | Ф/м | | MJ | 1-3 | Коэффициент, учитывающий плавность донной части перехода подложка-сток (исток) | 0,5 | | | MJSW | 1-3 | Коэффициент, учитывающий плавность бокового перехода подложка-сток (исток) | 0,33 | | | FC | 1-3 | Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода подложки | 0,5 | | | CGSO | 1-3 | Удельная емкость перекрытия затвор-исток (за счет боковой диффузии) | 0 | Ф/м | | CGDO | 1-3 | Удельная емкость перекрытия затвор-сток на длину канала (за счет боковой диффузии) | 0 | Ф/м | | CGBO | 1-3 | Удельная емкость перекрытия затвор-подложка (за счет выхода затвора за пределы канала) | 0 | Ф/м | | TT | 1-3 | Время переноса заряда через р-n-переход | 0 | с | | NSUB | 2, 3 | Уровень легирования подложки | Нет | 1/см3 | | NSS | 2,3 | Плотность медленных поверхностных состояний на границе кремний-подзатворный оксид | Нет | 1/см2 | | NFS | 2,3 | Плотность быстрых поверхностных состояний на границе кремний-подзатворный оксид | 0 | 1/см2 | | TOX | 1-3 | Толщина оксидной пленки | 1E-7 | м | | TPG | 2,3 | Тип материала затвора (+1 -- легирование затвора примесью того же типа, как и для подложки; -1 -- примесью противоположного типа; 0 -- металл) | 1 | | | XJ | 2,3 | Глубина металлургического перехода областей стока и истока | 0 | м | | UO | 2,3 | Поверхностная подвижность носителей | 600 | см2/В/с | | UCRIT | 2 | Критическая напряженность поля, при которой подвижность носителей уменьшается в два раза | 1E4 | В/см | | UEXP | 2 | Экспоненциальный коэффициент снижения подвижности носителей | 0 | | | UTRA | 2 | Коэффициент снижения подвижности носителей | 0 | м/с | | GDSNOI | 1-3 | Коэффициент дробового шума канала | 1 | | | NLEV | 1-3 | Выбор шумового уравнения | 2 | | | VMAX | 2, 3 | Максимальная скорость дрейфа носителей | 0 | м/с | | NEFF | 2 | Эмпирический коэффициент коррекции концентрации примесей в канале | 1 | | | XQC | 2, 3 | Доля заряда канала, ассоциированного со стоком | 0 | | | DELTA | 2, 3 | Коэффициент влияния ширины канала на пороговое напряжение | 0 | | | THETA | 3 | Коэффициент модуляции подвижности носителей под влиянием вертикального поля | 0 | 1/В | | ETA | 3 | Параметр влияния напряжения сток-исток на пороговое напряжение (статическая обратная связь) | 0 | | | KAPPA | 3 | Фактор поля насыщения (Параметр модуляции длины канала напряжением сток-исток) | 0,2 | | | KF | 1-3 | Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума | 0 | | | AF | 1-3 | Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход | 1 | | | T_MEASURED | 1-3 | Температура измерения | -- | °С | | T_ABS | 1-3 | Абсолютная температура | -- | °С | | T_REL_GLOBAL | 1-3 | Относительная температура | -- | °С | | T_REL_LOCAL | 1-3 | Разность между температурой транзистора и модели-прототипа | -- | °С | | |
Рис. 9. Модель полевого транзистора с изолированным затвором (МОП-транзистора). 5. Операционный усилитель (ОРАМР) Формат схем МС: Атрибут PART: <имя> Атрибут MODEL: [имя модели] В программе МС7 имеются модели операционных усилителей трех типов: LEVEL 1 -- простейшая линейная модель, представляющая собой источник тока, управляемый напряжением. ОУ имеет конечное выходное и бесконечное входное сопротивление (тем не менее выводы питания ОУ нужно подключить к схеме, так как в модели они подсоединены к «земле» через сопротивления 1 Ом), рис. 10, а; LEVEL 2 -- более сложная линейная модель, состоящая из трех каскадов и имитирующая два полюса передаточной функции ОУ, ограничение скорости нарастания выходного напряжения, конечный коэффициент усиления и конечное выходное сопротивление, рис. 10, б; LEVEL 3 -- нелинейная модель, аналогичная той, что применяется в программе PSpice. В ней учитываются ограничения на скорость нарастания выходного напряжения, значения выходного сопротивления на постоянном и переменном токе, ток и напряжение смещения, запас по фазе на частоте единичного усиления, площадь усиления, коэффициент подавления синфазного сигнала, реальные значения диапазона выходного напряжения и тока, рис. 10, в, г. Возможен выбор типа входного дифференциального каскада (на биполярных или полевых транзисторах). Все они имеют одинаковую графику символов. В отличие от программы PSpice, в которой модель ОУ описывается только как макромодель, в программе МС7 также используются и встроенные модели ОУ (LEVEL =1, 2, 3), что упрощает работу с ними и повышает скорость моделирования. Модель ОУ задается по директиве: .MODEL <имя модели> ОРА ([список параметров]) Перечень параметров модели ОУ приведен в табл. 11. а) б) в) Рис. 10. Модели операционного усилителя первого (а), второго (б) и третьего (в) уровней LEVEL Таблица 11. Параметры моделей операционных усилителей |
Обозначение | Уровень модели LEVEL | Параметр | Размерность | Значение по умолчанию | | LEVEL | 1--3 | Уровень модели (1 , 2, 3) | -- | 1 | | TYPE | 3 | Тип входного транзистора: 1 -- NPN, 2 -- PNP, 3 -- JFET | | 1 | | С | 3 | Емкость коррекции | Ф | 30E-12 | | A | 1--3 | Коэффициент усиления на постоянном токе | ~ | 2E5 | | ROUTAC | 1 --3 | Выходное сопротивление по переменному току | Ом | 75 | | ROUTDC | 1 --3 | Выходное сопротивление по постоянному току | Ом | 125 | | VOFF | 3 | Напряжение смещения нуля | В | 0,001 | | IOFF | 3 | Разность входных токов смещения | А | 1E-9 | | SRP | 2,3 | Максимальная скорость нарастания выходного напряжения | В/с | 5E5 | | SRN | 2,3 | Максимальная скорость спада выходного напряжения | В/с | 5E5 | | IBIAS | 3 | Входной ток смещения | А | 1E-7 | | VCC | 3 | Положительное напряжение питания | В | 15 | | VEE | 3 | Отрицательное напряжение питания | В | -15 | | VPS | 3 | Максимальное выходное положительное напряжение | В | 13 | | VNS | 3 | Максимальное выходное отрицательное напряжение | В | -13 | | CMRR | 3 | Коэффициент подавления синфазного сигнала | | 10E5 | | GBW | 2, 3 | Площадь усиления (равна произведению коэффициента усиления А на частоту первого полюса) | | 1E6 | | PM | 2, 3 | Запас по фазе на частоте единичного усиления | град. | 60 | | PD | 3 | Рассеиваемая мощность | Вт | 0,025 | | IOSC | 3 | Выходной ток короткого замыкания | А | 0,02 | | T_MEASURED | 3 | Температура измерений | °С | -- | | T_ABC | 3 | Абсолютная температура | °С | -- | | T_REL_GLOBAL | 3 | Относительная температура | °С | -- | | T_REL_LOCAL | 3 | Разность между температурой устройства и модели-прототипа | °С | | | |
Заключение MicroCAP-7 -- это универсальный пакет программ схемотехнического анализа, предназначенный для решения широкого круга задач. Характерной особенностью этого пакета, впрочем, как и всех программ семейства MicroCAP (MicroCAP-3… MicroCAP-8) [1, 2], является наличие удобного и дружественного графического интерфейса, что делает его особенно привлекательным для непрофессиональной студенческой аудитории. Несмотря на достаточно скромные требования к программно-аппаратным средствам ПК (процессор не ниже Pentium II, ОС Windows 95/98/ME или Windows NT 4/2000/XP, память не менее 64 Мб, монитор не хуже SVGA), его возможности достаточно велики. С его помощью можно анализировать не только аналоговые, но и цифровые устройства. Возможно также и смешанное моделирования аналого-цифровых электронных устройств, реализуемое в полной мере опытным пользователем пакета, способным в нестандартной ситуации создавать собственные макромодели, облегчающие имитационное моделирование без потери существенной информации о поведении системы. Список литературы: 1. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap V. - Москва, «Солон», 1997. - 273 с. 621.3 Р17 /1997 - 1 аб, 3 чз 2. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств Design Lab 8.0. - Москва, «Солон», 1999. 004 Р-17 /2003 - 1 аб/ 2000 - 11 аб, 5 чз 3. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение.-- Москва: Солон-Р, 2001. - 726 с. 004 K23/ 10 аб, 5 чз. 4. Micro-Cap 7.0 Electronic Circuit Analysis Program Reference Manual Copyright 1982-2001 by Spectrum Software 1021 South Wolfe Road Sunnyvale, CA 94086
|
|
 |
НОВОСТИ |
 |
|
| Изменения |
|
| Прошла модернизация движка, изменение дизайна и переезд на новый более качественный сервер |
|
